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半導體封裝材料測試系統

電場(chǎng)介電損耗，漏電流測試系統 TSDC測試系統高低溫絕緣電阻測試系統真空探針臺

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半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統

更新時(shí)間：2024-12-17

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SIR-450半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統

更新時(shí)間：2024-12-23

型號：SIR-450

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半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負阻性的特征，電阻（率）隨著(zhù)溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明，隨著(zhù)溫度的上升電阻率越下降嚴重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測量的一個(gè)關(guān)鍵測量手段。
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半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統

更新時(shí)間：2024-12-16

型號：

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半導體封裝材料高溫絕緣電阻測試系統運用三電極法設計原理測量。利用新穎的電阻測試系統，重復性與穩定性更好，提升了夾具的抗干擾能力，同時(shí)大大提高精確度,可應用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學(xué)性能研究等用途。
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